1947年(點接觸電晶體實驗) / 美洲

點接觸電晶體展示半導體放大訊號的能力

巴丁和布拉頓在貝爾實驗室用鍺和金屬觸點實現訊號放大,為半導體電子元件打開新的研究方向。

透明支架上帶細導線與金屬觸點的電晶體複製品
後世復原模型弗洛里安·舍費爾2015年拍攝的海因茨·尼克斯多夫博物館論壇展品,為早期點接觸電晶體複製品;不是1947年原件或當時照片。弗洛里安·舍費爾(攝影) · 海因茨·尼克斯多夫博物館論壇 · CC BY-SA 4.0 圖片來源與授權

科學史故事

1947年12月,巴丁和布拉頓在貝爾實驗室固體物理研究組中製成能放大訊號的點接觸元件,並向實驗室管理者演示。蕭克利參與研究組工作,隨後發展接面型電晶體方案;公開發布發生在1948年。電晶體為電子設備縮小和降低功耗創造了條件,但1947年的實驗元件尚不是積體電路,也不是今天晶片中的微型電晶體。

聯繫與背景

從半導體物理到電腦硬體,需要材料、製造和電路設計的共同推進。此後積體電路把更多元件與連接組織到同一片材料上。

年代與日期精度

1947年(點接觸電晶體實驗) 明確節點

按資料明確記載的年、月或日定位;未詳的月日不作推定。

地圖代表點

新澤西州默里希爾

標記貝爾實驗室默里希爾研究地點;後續元件改進與工業生產發生於更多地區。

代表點座標 · 40.6832°, -74.4°

代表點可指一份手稿的收藏地、實驗室或觀測地點,不表示研究只在此發生,也不把共同發現單獨歸於某一國家。

資料依據

  • 中國科學院大學:半導體物理與應用——無盡的前沿(講座記錄)
  • 《物理》:微電子技術的先導——紀念電晶體誕生七十週年

資料以書目標題展示,不提供外部跳轉。參考資料可能支持個別事實或相關背景,列出來源並不等於每一句解釋已經逐句核實。

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